판매용 중고 TEL / TOKYO ELECTRON MB2-730 HT-HT #293734292

ID: 293734292
웨이퍼 크기: 8"
빈티지: 1996
CVD System, 8" (3) Chambers WSi Process 1996 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730 HT-HT는 고급 반도체 제조 공정을 위해 설계된 고성능 에처/애셔 장비입니다. 이 최첨단 장비는 플라즈마 처리 매개변수 (Plasma Processing Parameter) 를 정확하게 제어하여 균일하고 반복 가능한 결과를 얻어 대용량 생산 환경에 이상적인 선택입니다. TEL MB2-730 HT-HT는 이중 챔버 구성을 특징으로하며, 플라즈마 에칭을위한 공정 챔버와 저항 스트리핑을위한 애싱 챔버가 있습니다. 이러한 다목적 설계를 통해 사용자는 여러 도구를 사용할 필요 없이 다양한 프로세스를 수행할 수 있으며, 효율성을 높이고, 운영 비용을 절감할 수 있습니다. TOKYO ELECTRON MB2-730 HT-HT의 주요 기능 중 하나는 고온 기능으로, 최대 350 ° C의 온도에서 처리 할 수 있습니다. 이 기능은 최적의 프로세스 성능을 달성하기 위해 높은 온도가 필요한 특정 어플리케이션에 필수적입니다. 프로세스 챔버 (process chamber) 내에서 온도를 제어하는 기능을 통해 사용자는 특정 요구 사항에 맞게 열 환경을 사용자 정의할 수 있습니다. MB2-730 HT-HT는 고온 기능 외에도 정확하고 균일 한 처리를 위해 고급 플라즈마 생성 기술을 제공합니다. 이 시스템에는 웨이퍼 (wafer) 표면에 안정적이고 균일한 플라스마를 제공하는 고밀도 플라즈마 소스가 장착되어 있어 웨이퍼 (wafer) 에서 웨이퍼 (wafer) 까지 일관된 프로세스 결과를 얻을 수 있습니다. TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730 HT-HT에는 다양한 응용 분야를 수용하는 다양한 공정 가스 및 화학 옵션이 있습니다. 사용자는 플루오린 기반 (fluorine-based) 및 산소 기반 화학 물질 (oxygen-based chemistry) 과 같은 포괄적인 프로세스 가스 목록에서 선택하여 에칭/애싱 프로세스를 특정 요구에 맞게 조정할 수 있습니다. 또한, 이 장치에는 가스 유량 (gas flow rate) 과 혼합물 (mixture) 의 정확한 조절을 위해 고급 가스 흐름 제어 (gas flow control) 기술이 장착되어 있어 사용자가 최대의 성능을 위해 프로세스 조건을 최적화 할 수 있습니다. 프로세스 제어 및 반복 가능성을 더욱 향상시키기 위해 TEL MB2-730 HT-HT에는 고급 모니터링 및 제어 시스템이 장착되어 있습니다. 실시간 프로세스 모니터링 툴을 사용하면 온도, 압력, 플라즈마 특성 등의 주요 프로세스 매개변수를 실시간으로 관찰할 수 있습니다. 즉, 빠른 조정을 통해 최적의 프로세스 성능을 보장할 수 있습니다. 이 기계는 또한 정교한 레시피 관리 (recipe management) 기능을 갖추고 있으며, 사용자는 프로세스 레시피를 저장하고 리콜하여 일관된 결과를 얻을 수 있습니다. 유지 보수 및 서비스성은 반도체 제조 장비에서 중요한 고려 사항이며, TOKYO ELECTRON MB2-730 HT-HT는 이러한 사항을 고려하여 설계되었습니다. 이 툴은 중요한 구성 요소에 쉽게 액세스할 수 있고, 유지 관리 작업을 간소화하고, 다운타임을 줄일 수 있는 모듈식 설계를 제공합니다. 또한 TEL은 포괄적인 서비스 및 지원 프로그램을 제공하여 MB2-730 HT-HT 자산 사용자의 가동 시간과 생산성을 극대화합니다. 결론적으로 TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730 HT-HT는 광범위한 반도체 제조 응용 프로그램에 대한 정확한 제어, 고급 플라즈마 기술 및 고온 기능을 제공하는 고성능 etcher/asher 모델입니다. TEL MB2-730 HT-HT는 다양한 설계, 뛰어난 프로세스 제어, 강력한 서비스 기능을 갖춘 반도체 제조업체가 고품질, 신뢰성 있는 플라즈마 처리 솔루션을 원하는 최적의 선택입니다.
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