판매용 중고 TEL / TOKYO ELECTRON INDY PLUS B M #9381843

TEL/TOKYO ELECTRON INDY PLUS B M은 가장 발전된 반도체 장치 제조의 요구를 충족시키기 위해 설계된 고성능 에처/애셔입니다. 텔 인디 플러스 B-M (TEL INDY PLUS B-M) 은 혁신적인 액체 상 에칭 프로세스를 사용하여 에칭 된 피쳐 크기와 모양을 정밀하게 제어하고 제어합니다. 이 독특한 기능을 통해 TOKYO ELECTRON INDY PLUS-B-M은 타이트한 CD 제어로 몇 분 안에 금속 하드 마스크 또는 유기 하드 마스크 기능을 생성 할 수 있습니다. 듀얼 비 균일 빔 각도의 통합으로 높은 기능을 제공합니다. 이렇게 하면 언더커팅 (undercutting) 또는 사이드 월 (sidewall) 거칠기가 최소화되어 큰 피쳐 크기에 대해 균일하게 에칭됩니다. TEL INDY PLUS B M의 프로세스 유연성은 NF3, CF4, CF4/O2, NF3/O2, SF6 및 SF6/O2를 포함한 광범위한 프로세스 가스로 더욱 향상되었습니다. 이것은 Multi-Dep 및 Arealuzion, Polysilicon LPCVD 및 Anisotropic Dry Etch를 포함한 다양한 증착 기술을 용이하게합니다. INDY PLUS B-M은 또한 독점적 인 기판 및 플래튼 냉각을 특징으로하여 열 손상을 예방하고 백 에칭 확률을 줄입니다. INDY PLUS-B-M은 더 높은 처리량을 제공하고 다운타임을 단축하도록 설계되었습니다. 에칭 에너지를 특정 프로세스 영역으로 지시하는 데 사용할 수있는 다목적 서브 나노 초 펄스 (sub-nanosecond pulsing) 기능이 특징입니다. 이렇게 하면 "에칭 '주기 가 빨라지고, 기계 가 더 넓은 공정" 레시피' 에 사용 될 수 있게 된다. 이 기계의 모듈식 설계 (modular design) 를 통해 프로세스 모듈을 신속하게 교환할 수 있으며, 이 모듈은 기판 처리량을 향상시키고 시간 (time) 연산자가 설정 시간을 절약할 수 있습니다. 마지막으로, TEL/TOKYO ELECTRON INDY PLUS-B-M은 현지화 된 RF 플라즈마 소스와 증착 균일성 및 반복성을 향상시키는 통합 이온 소스를 특징으로합니다. RF 시스템은 같은 클래스의 다른 에처 (etcher) 와 비교할 때 확장 된 프로세스 제어 유연성을 제공합니다. 요약하면, INDY PLUS B M은 프로세스 유연성, 향상된 처리량 및 반복 가능한 성능을 제공하는 다재다능한 etcher/asher입니다. 고유 한 액체 상 에칭 공정은 CD를 단단히 제어하여 더 작은 피쳐 크기를 생성하며, 조절 가능한 빔 각도 및 기판/플래튼 냉각을 포함합니다. 빠른 나노초 (sub-nanosecond) 펄싱은 다중 프로세스 레시피를 허용하는 반면, 통합 RF 및 이온 소스는 추가 정밀도를 제공합니다. 이 고급 에처/애셔는 복잡한 반도체 장치의 생산에 이상적입니다.