판매용 중고 TEL / TOKYO ELECTRON Formula-1S-H #293654963
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ID: 293654963
빈티지: 2005
Diffusion furnace
Control system
Heater temperature: 600°C-900°C
Load port
FIMS
Wafer transfer
Boat elevator / Seal cap rotation
Auto shutter
Heater model
N2 Load lock
Boat operation
Process: LPCVD
Si SEMI STD-Notch, 12"
Furnace temperature controller: M780
HTR
Power box
Carrier transfer
Mechanical driver
Exhaust box
Front and rear upper cover
Final valve box
Gas flow chart
O2 Analyzer
Hard Disk Drive (HDD)
Does not include HCT
User interface:
MMI and gas flowchart: Gas box and front operation panel installed
Pressure display Unit: Mpa / Torr
Carrier type: FOUP / 25slots SEMI STD
Fork meterial: Al203 and PEEK
W/T Type: 1+4 Edge grip
16-Carrier stage capacity
Wafer notch aligner
RCU
UPS
Power distribution system:
3-Phase connection type: Star connection
Single-Phase connection: Grounded
Single-Phase voltage
Gas distribution system:
FUJIKIN Integrated Gas System (IGS)
IGS Final filter, regulator: MFC Z500 Type
MKS Capacitance manometer vacuum gage - press monitor (133 Kpa)
Power supply: 400 VAC, 3 Phase, 50/60 Hz
2005 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Formula-1S-H는 빠르고 정확하며 세밀한 에칭 프로세스가 필요한 애플리케이션을 위해 설계된 에처/애셔입니다. 장비는 플라즈마 소스, 에칭 가스, 제어 전력 및 고주파 (RF) 전력의 조합을 사용하여 완벽한 에치 프로파일을 만듭니다. 에칭 프로세스는 깨끗하고 정확한 평면 기판을 보장함으로써 시작됩니다. 이것은 에칭 프로세스가 기질에서 균일 한 에칭 결과를 산출하기 위해 수행된다. 다음으로, 에칭 가스가 시스템 챔버에 주입되며, 이는 독립 RF 안테나 (RF antenna) 섹션에 의해 기질과 분리된다. 그런 다음, 이 장치는 RF 에너지를 챔버에 적용하여, 하전 입자와 기질과 상호 작용하는 반응성 종으로 구성된 플라즈마를 생성합니다. 그런 다음, 에칭 속도 (etching rate) 는 에칭 영역, 에칭 가스의 흐름 속도 및 전력 강도와 같은 매개변수의 조합에 의해 제어됩니다. TEL Formula-1S-H에는 낮은 수직 침식 프로파일을 보장하면서 HAR (High Aspect Ratio) 구조에 적합한 정밀 에치 챔버가 장착되어 있습니다. 이를 통해 가장 복잡한 3 차원 구조조차도 높은 수준의 정확도로 정의 할 수 있습니다. 또한, 기계에는 자동 웨이퍼 인식, 온보드 화학 관리 도구, 응축 화학 유지 관리, 보조 절차 가이드 등 다양한 사용자 친화적 인 기능이 있습니다. TOKYO ELECTRON Formula-1S-H는 (는) 처리율이 높아 비교적 짧은 프로세스 시간 내에 고품질 에치 결과를 낼 수 있습니다. 이 자산은 또한 고출력 RF 필드와 극심한 온도에 견딜 수 있도록 설계되었으므로 신뢰할 수 있도록 설계되었습니다. 이 모든 기능을 사용하면 빠르고 정밀한 에칭이 필요한 어플리케이션을 에칭 (etching) 하는 데 이상적입니다.
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