판매용 중고 STS Pro ICP #293605254
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판매
ID: 293605254
웨이퍼 크기: 6"
Advanced Oxide Etcher (AOE), 6"
Inductively Coupling Plasma (ICP)
Backside helium cooling
8-Pins clamp
Lip seal
Masks: Si, PR, Metals (Cr, Ti, Ni)
Gases: C4F8, SF6, O2, H2, CF4, (2) Open gas slots
Process pressure: 2-80 mT
Substrate size: 6"
Temperature range:
Platen: -20°C to 120°C
Walls: 100°C
Lid: 120°C
Materials etched:
SiO2
Quartz
Pyrex
Fused silica
Si3N4
Bulk silicon
Capabilities:
2.5 µm on 8-10 µm TEOS
Etch rate: >2000 A/min SiO2, >4:1 selectivity
SiO2: PR
Inter wafer: ±3%
5 µm on 3-10 µm SiO2
Etch rate: >3000 A/min SiO2, >7.5:1 selectivity
SiO2: PR
Inter wafer: ±2%
Power supply:
ADVANCED ENERGY Coil: 3000 W, 13.56 MHz
ENI Platen: 1000 W, 13.56 MHz.
STS Pro ICP는 ICP (Inductively Coupled Plasma) 응용 프로그램에 적합한 고급 에처/애셔입니다. 이 제품은 초고속 에치 (etch) 시간을 통해 정확하고 효율적이며 광범위한 에칭 기능을 제공하며, 중요한 프로세스 매개변수를 완벽하게 제어할 수 있도록 설계되었습니다. Pro ICP는 12 "x 13" (약 30.48cm x 33.02cm) 활성 에칭 테이블을 특징으로하며, 수정 된 슬릿 밸브 에처와 함께 에칭 스테이지의 프로세스 가스와 압력을 제어합니다. 에칭 테이블에는 전체 하향식 카메라 (full bottom-view camera) 모니터링이 장착되어 있어 프로세스를 정확하게 제어할 수 있습니다. 이 에처의 추가 기능은 테이블 상단의 "베이크 인 (bake-in)" 기능으로, 다양한 에치 프로세스에 대한 열 프로세스 제어를 제공합니다. STS Pro ICP의 핵심은 RF Generator 및 ICP 소스 어셈블리입니다. 이 어셈블리에는 ICP 소스의 정확하고 재현 가능한 제어를 제공하기 위해 로드 매치 네트워크 (load-match network) 및 동력 설정 가능한 커패시터가 포함됩니다. 프로 ICP (Pro ICP) 의 공정 챔버는 티타늄으로 만들어져 내구성과 효과적인 에칭 환경을 제공합니다. 웨이퍼가 챔버 (chamber) 에 배치되면 테이블 상단에 있는 몇 개의 버튼을 누르기만 하면 에치 프로세스 (etch process) 를 시작할 수 있습니다. STS Pro ICP는 또한 질량 흐름 컨트롤러, 메탄/질소/아르곤 믹스, ICP 소스를 정확하게 조절하고 부하와 일치하는 가변 주파수 드라이브 (가변 주파수 드라이브) 가있는 공정 가스 공급을 특징으로합니다. 결론적으로 Pro ICP는 ICP (Inductively Coupled Plasma) 응용 프로그램에 적합한 고급적이고 다재다능한 etcher/asher입니다. 견고한 디자인, 정확한 제어, 다양한 에칭 (etching) 기능을 통해 일반 및 정밀 에칭 요구 사항에 이상적인 선택이 가능합니다.
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