판매용 중고 PLASMATHERM SLR 770 ICP #293771258

PLASMATHERM SLR 770 ICP는 연구 및 산업 환경에서 고급 반도체 제작 프로세스를 위해 설계된 최첨단 플라즈마 에처/애셔 장비입니다. 이 시스템은 뛰어난 프로세스 제어, 정확한 에칭 기능, 고품질 장치 제조를 위한 탁월한 균일성을 제공합니다. PLASMATHERM SLR 770의 중심에는 고밀도, 저압 플라즈마를 생성하여 고효율적이고 균일 한 에칭을 생성하는 ICP (inductively coupled plasma) 소스가 있습니다. 이 기술을 통해 기판에 대한 낮은 데미지를 유지하면서 높은 에치 속도 (etch rate) 와 선택성 (selectivity) 을 달성 할 수 있으며, 복합 반도체 처리, MEMS 구성, 고급 논리 및 메모리 장치 등 다양한 어플리케이션에 적합합니다. 이 기계는 직경 200mm 의 기판을 수용할 수있는 넓은 공정 챔버 (spacious process chamber) 를 갖추고 있어 배치 처리 및 처리량 증가를 허용합니다. 이 챔버에는 고급 온도 조절 (Advanced Temperature Control) 메커니즘이 장착되어 있어 여러 실행에서 안정적인 프로세스 조건과 일관된 결과를 얻을 수 있습니다. 또한, 챔버는 균일 한 플라즈마 밀도 및 에칭 프로파일을 유지하기 위해 우수한 가스 분포 및 배기 시스템으로 설계되었습니다. SLR-770 ICP는 다양한 에칭 화학 물질 및 재료 호환성을 지원하기 위해 광범위한 공정 가스 및 전구체를 제공합니다. 이 도구의 가스 전달 에셋 (gas delivery asset) 에는 가스 유속 (gas flow rate) 을 정확하게 제어하기 위해 대량 흐름 컨트롤러가 장착되어 있어 프로세스 제어 및 재생성이 정확합니다. 또한, 이 모델은 식각 과정에서 생성 된 독성 부산물과 폐기물 가스를 안전하게 제거하는 대용량 가스 감축 장비를 갖추고 있습니다. SLR 770 의 주요 특징 중 하나는 고급 RF 바이어스 (bias) 기능으로, 에칭 과정에서 이온 에너지 및 기판 온도를 독립적으로 제어 할 수 있습니다. 이 기능을 사용하면 프로세스 매개변수를 세밀하게 조정하여 특정 에칭 프로파일 (etching profile), 선택성 (selectivity) 및 측벽 (sidewall) 수동화를 달성하고, 최소한의 손상과 측벽 거칠기로 고품질의 에칭 피쳐가 생성됩니다. 이 시스템은 사용자에게 친숙한 인터페이스와 소프트웨어 제어 장치 (Software Control Unit) 를 갖추고 있어 프로세스 매개변수를 쉽게 프로그래밍, 모니터링, 데이터 로깅할 수 있습니다. 운영자는 편리한 인터페이스를 사용하여 에치 (etching) 레시피를 쉽게 구성하고 최적화하고, 진단 테스트를 실행하며, 문제를 해결합니다. 이 시스템은 또한 원격 모니터링 및 제어 기능을 제공하여 실시간 프로세스 조정 및 성능 최적화 (Performance Optimization) 를 지원합니다. 요약하자면, SLR 770 ICP는 최첨단 플라즈마 에처/애셔 툴로, 반도체 제작 응용 프로그램에 고급 프로세스 기능, 정확한 제어 기능, 높은 신뢰성을 제공합니다. 최첨단 기술, 탁월한 성능, 사용자 친화적 인터페이스 (User-Friendly Interface) 를 갖춘 이 자산은 연구 기관 및 반도체 제조업체에 이상적인 선택으로, 탁월한 프로세스 제어 및 균일성을 갖춘 고품질 에칭 (Etched) 기능을 구현하고자 합니다.