판매용 중고 PLASMAQUEST ECR #293815254

PLASMAQUEST ECR
제조사
PLASMAQUEST
모델
ECR
ID: 293815254
Plasma‑Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) System.
PLASMAQUEST ECR (PLASMAQUEST ECR) 은 반도체 업계의 정밀 에칭 및 애싱 어플리케이션을 위해 설계된 고급 다기능 플라즈마 처리 장비입니다. 이 시스템은 ECR (Electron Cyclotron Resonance) 기술을 사용하여 뛰어난 프로세스 제어 및 균일성을 위해 고밀도 플라즈마를 생성합니다. PLASMAQUEST ECR 기술과 다용도 챔버 (chamber) 설계 및 고급 프로세스 모니터링 기능의 결합으로 ECR은 광범위한 에칭 및 애싱 프로세스를 위한 다용도 도구입니다. PLASMAQUEST ECR 장치의 주요 구성 요소에는 고출력 전자 레인지 소스, 자기장 생성기, 가스 분사 기계 및 공정 챔버가 포함됩니다. "마이크로파 '원 은" 플라즈마' 내 의 전자 의 "사이클로트론 '공명 주파수 와 일치 한 주파수 로 전자파 를 발생 시키며, 이온화 를 향상 시키고 전자 온도 가 낮은 고밀도" 플라즈마' 를 만든다. 자기장 발생기 (magnetic field generator) 는 플라즈마 내 전자의 움직임을 제한하고 제어하는 강력한 자기장을 만드는 역할을 한다. 이 자기 감금 (magnetic capinement) 은 플라즈마 생성 과정의 효율성을 높이고 기판 표면을 가로 질러 플라즈마의 균일성을 향상시킵니다. 가스 분사 도구 (gas injection tool) 는 공정 가스 흐름 속도 및 조성을 정확하게 제어하여 각기 다른 재료 유형 및 공정 요구사항에 대한 에칭 (etching) 및 애싱 (ashing) 레시피의 사용자 정의를 가능하게합니다. ECR 에셋의 프로세스 챔버 (process chamber) 는 다양한 기판 크기와 모양을 수용하여 다양한 프로세스 구성에 유연성을 제공하도록 설계되었습니다. 챔버 (chamber) 는 대상 홀더를 특징으로하며, 여기서 기판은 에칭 또는 애싱 프로세스 중에 마운트됩니다. 대상 홀더는 회전하고 기울어 기판 표면의 균일 한 처리를 보장하고 프로세스 균일성을 높일 수 있습니다. PLASMAQUEST ECR의 주요 장점 중 하나는 탁월한 프로세스 제어 및 반복 성입니다. 이 모델에는 고급 실시간 프로세스 모니터링 (Real-Time Process Monitoring) 및 제어 시스템 (Control System) 이 장착되어 있어 운영자가 즉석에서 프로세스 매개변수를 조정하고 프로세스 성능을 최적화할 수 있습니다. 이 기능은 균일성과 재생성이 높은 정확한 에칭 (etching) 및 애싱 (ashing) 결과를 달성하는 데 필수적입니다. ECR은 또한 높은 에치 속도 (etch rate) 와 선택성으로 유명하며, 실리콘, 이산화규소, 질화실리콘 및 다양한 금속을 포함한 광범위한 물질에 적합합니다. 이 장비는 물리적 (physical) 과 화학적 (chemical) 에칭 (etching) 공정에 모두 사용될 수 있으며, 반도체 업계의 여러 응용 분야에 다재다능한 솔루션을 제공합니다. 결론적으로 PLASMAQUEST ECR은 Electron Cyclotron Resonance 기술과 고급 프로세스 제어 및 모니터링 기능을 결합한 최첨단 플라즈마 처리 시스템입니다. 이 다기능 도구는 정밀 에칭 (eching) 및 애싱 (ashing) 애플리케이션에 이상적이며, 반도체 업계의 광범위한 소재 및 프로세스 요구 사항에 대해 높은 공정의 균일성, 반복성, 다양한 기능을 제공합니다.
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