판매용 중고 OXFORD Plasmalab 100 - ICP 380 #293831766
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ID: 293831766
빈티지: 2011
Reactive Ion Etcher (RIE)
Vacuum:
Secondary vacuum:
ATH 1600M
ATP80
ATP 150 / Controller ACT 600TH
APC Valve: Stepgate 64046-PE52, 8"
Pumping speed: 1500 l/s / 1150 l/s, 80 l/s, 140 l/s
Ultimate pressure:
4,5E-9 Torr (6,0E-9 mbar)
5,0E-9 mbar, 5E-10 mbar
Base Pressure: 6,00E-5 Torr, 6,19E-5 Torr
Pressure switch 1: D059 14 000 100 mTorr
Pirani gauge:
APG-L-NW16 10 to 1E-4 mbar
APG-L-NW16 10 to 1E-4 mbar
CM Gauge: MKS 628B-15991 25000 torr to 0,05 torr
Penning gauge:
ASM AIM-S-NW25 7,5 x 10E-9 to 7,5 x 10E-3 torr
ASM AIM-S-NW25 7,5 x 10E-9 to 7,5 x 10E-3 torr
ASM AIM-S-NW25 7,5 x 10E-9 to 7,5 x 10E-3 torr
Gaz:
O2: 2,2 bar 100
CF4: 100
SF6: 100
Ar: 2 bar 100
BCl3: 50
Cl2: 100
Power supply: 600W, 13,56MHz (ICP380, 5kW, 2MHz)
Chamber:
Wafer: 6"
25 slots ceramic and effector
Table: Aluminum, 8"
Material of walls: AI / Alumine
Volume: 77,421
Chiller model: Julabo FB51
Temperature: 50°C
Flow: 22 I/min
Media: H5 (Glycol silicone)
Process: O2
Upgraded with X20 PLC and PC4500
(8) Line gas pods
Power distribution box
Chiller FP51
2011 vintage.
옥스포드 플라즈말랩 (OXFORD Plasmalab) 100 - ICP 380은 연구 개발 및 생산 환경에서 광범위한 재료의 정밀 플라즈마 처리를 위해 설계된 고급형 에처/애셔 (etcher/asher) 장비입니다. 이 도구는 혁신적인 기술, 뛰어난 성능, 사용자 친화적인 운영을 결합하여 최신 반도체, MEMS, optoelectronics 및 nanotechnology 산업의 까다로운 요구 사항을 충족시킵니다. 이 시스템은 고밀도 및 고온 플라즈마 생성 기능으로 유명한 ICP (inductively coupled plasma) 기술을 갖추고 있습니다. Plasmalab 100 - ICP 380의 ICP 소스는 프로세스 가스의 효율적인 이온화를 제공하며 탁월한 프로세스 균일성과 제어를 가능하게합니다. ICP 380 구성은 특히 최대 800 와트의 작동 능력을 제공하여 광범위한 프로세스 어플리케이션을 위한 견고하고 안정적인 플라즈마 (Plasma) 생성을 보장합니다. 옥스포드 플라즈말랩 (OXFORD Plasmalab) 100 - ICP 380의 챔버에는 정확한 에칭 및 애싱 프로세스를 용이하게하기 위해 일련의 고급 기능이 장착되어 있습니다. 이 장치는 고성능 터보 분자 펌핑 머신 (turbomolecular pumping machine) 을 통합하여 프로세스 가스와 부산물의 빠르고 효율적인 대피를 보장하며, 프로세스 반복성 향상, 주기 시간 감소로 이어집니다. 또한, 챔버에는 대량 유량 컨트롤러 (Mass Flow Controller) 및 가스 혼합 기능 (Gas Mixing) 을 포함한 다양한 가스 전달 시스템이 장착되어 있어 공정 가스 흐름 및 조성을 정확하게 제어 할 수 있습니다. Plasmalab 100 - ICP 380의 주요 강점 중 하나는 다양한 기판 재료와 크기를 처리하는 데 다재다능합니다. 이 도구는 직경 200 밀리미터 (200 mm) 의 기판을 수용하는 자동 웨이퍼 처리 에셋을 특징으로하며, 반도체 업계에서 일반적으로 사용되는 표준 웨이퍼 크기를 처리하는 데 적합합니다. 또한, 챔버 설계 및 구성은 다양한 샘플 유형, 모양, 크기를 수용하기 위해 쉽게 조정될 수 있으며, 다양한 응용 분야에서 일하는 연구원 및 제조업체에 유연성을 제공합니다. OXFORD Plasmalab 100 - ICP 380의 소프트웨어 인터페이스는 직관적이고 사용자 친화적으로 설계되었으며, 운영자는 에칭/애싱 프로세스를 쉽게 프로그래밍하고 제어 할 수 있습니다. 이 모델에는 특정 재료 유형과 프로세스 요구사항에 맞게 사용자 지정, 최적화할 수 있는 다양한 프로세스 레시피 (process recipe) 및 매개변수 (parameter) 설정이 장착되어 있습니다. 가스 흐름, 챔버 압력, RF 전력, 온도 등의 주요 프로세스 매개변수를 실시간으로 모니터링 및 제어할 수 있으며, 원하는 etch/ash 결과를 달성하기 위한 정밀한 프로세스 제어 및 최적화가 가능합니다. 요약하면, Plasmalab 100 - ICP 380은 광범위한 플라즈마 처리 응용 프로그램에 대한 뛰어난 성능, 다용도 및 제어를 제공하는 최첨단 etcher/asher 장비입니다. 첨단 ICP 기술, 정확한 프로세스 제어 기능, 사용자 친화적 인터페이스 (User-Friendly Interface) 는 다양한 재료에 대한 고품질 및 반복 가능한 플라즈마 프로세스를 달성하려는 연구 개발 연구소, 대학, 생산 시설에 이상적인 도구입니다.
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