판매용 중고 MRC RIE-51 #9382964

MRC RIE-51은 고급 플라즈마 에처/애셔 (plasma etcher/asher) 로, 대규모 프로세스 기능을 제공하여 에칭 및 애싱 프로세스에 상당한 장점과 유연성을 제공합니다. 모듈식 (modular) 설계와 광범위한 프로세스 및 옵션을 갖춘 RIE-51은 다양한 산업 및 하이엔드 리서치 환경에서 고급 드라이 에칭 (dry etching) 및 애싱 (ashing) 프로세스에 적합합니다. MRC RIE-51 모듈식 설계를 통해 모든 etch 프로세스 챔버 구성 요소를 사용자 정의하여 프로세스 유연성, 효율성 및 반복 성을 극대화할 수 있습니다. 챔버 온도 (최대 400 ° C) 와 압력 범위 (0.1 ~ 2.0 torr) 로, 장비의 프로세스 기능은 매우 광범위한 응용 프로그램을 다룹니다. 대부분의 가스 화학 물질과 호환되며, 고성능 가스 도입 여과 및 우수한 가스 흐름 제어가 있습니다. 높은 진공 펌프는 신속하고 정확한 진공 펌핑뿐만 아니라 낮은 유지 관리를 제공합니다. 통합된 직관적인 제어 시스템은 효율적인 프로세스 제어, 온도 및 압력 모니터링, 전체 장치 모니터링 기능을 제공합니다. 또한 고급 안전 기능은 운영자의 안전을 보장합니다. 에치 소스는 두 개의 영역으로 나뉘며, 여기서 압력, 온도, 흐름과 같은 수많은 매개변수가 독립적으로 제어됩니다. 또한 최적으로 일치하는 무선 주파수 (RF) 난방, 에칭 및 사전 바이어스 기술을 제공합니다. 이를 통해 사용자는 에치 프로세스를 특정 요구에 맞게 맞춤형으로 구성할 수 있습니다. RIE-51은 습식 및 건식 청소를 포함한 고급 청소 기능도 제공합니다. 다양한 화학 물질을 사용한 단일 (single-step) 또는 이중 (dual-step) 클리닝 (cleaning) 을 포함하여 다양한 옵션을 사용하여 최대 클리닝 효율을 높일 수 있습니다. 가장 어려운 소프트 또는 하드 재료 에칭 작업에는 플라즈마 톤 (Plasma Tone) 청소, 데가 (degas) 및 퀸치 (quench) 와 같은 고급 드라이 클리닝 옵션을 사용할 수 있습니다. MRC RIE-51의 뛰어난 반복성과 높은 프로세스 기능으로 인해 웨이퍼 에칭 및 애싱, MEMS 제작, 고급 SOI 장치 제작 등 다양한 어플리케이션에 적합합니다. 또한 수소 종료, 열 코트 제거, 가변 주파수 에치 기능 등 고급 기술 옵션이 제공됩니다. '모듈성 (modularity)' 과 '고급 (advanced)' 옵션의 조합을 통해 사용자는 자신의 요구에 맞게 시스템을 조정하여 효율적이고 경제적인 솔루션으로 만들 수 있습니다.