판매용 중고 LAM RESEARCH / ONTRAK 605-048878-001 #293811225

LAM RESEARCH / ONTRAK 605-048878-001
ID: 293811225
CPU Boards.
LAM RESEARCH/ONTRAK 605-048878-001은 반도체 제조 산업에 사용되는 고도의 에처/애셔입니다. 이 장비는 실리콘 웨이퍼 (silicon wafer) 에 집적회로를 제작하는 과정에서 중요한 요소이며, 전자 기기의 작동에 필요한 복잡한 패턴과 구조를 정의하는 데 중요한 역할을합니다. ONTRAK 605-048878-001 etcher/asher에는 최첨단 기술과 반도체 재료를 정확하고 효율적으로 처리 할 수있는 기능이 장착되어 있습니다. 이 장비는 플라즈마 에칭 (plasma etching) 과 애싱 (ashing) 기술의 조합을 사용하여 웨이퍼 표면에서 재료를 선택적으로 제거하여 서브 미크론 정확도로 복잡한 구조를 만들 수 있습니다. LAM RESEARCH 605-048878-001 etcher/asher의 주요 하이라이트 중 하나는 고급 플라즈마 생성 기능입니다. 이 시스템에는 공정 챔버 내에 반응성이 높은 플라즈마 환경을 만드는 RF (High-Power Radio Frequency) 소스가 장착되어 있습니다. 이 "플라즈마 '는" 웨이퍼' 표면 의 물질 과 화학적 반응 을 나타내어 원치 않는 층 을 효과적 으로 식각 시키고, 예외 의 정밀도 로 원하는 "패턴 '을 만드는 데 사용 된다. 또한, 605-048878-001은 정교한 프로세스 제어 장치 (process control unit) 를 갖추고 있어 주요 프로세스 매개변수를 실시간으로 모니터링하고 조정할 수 있습니다. 여기에는 가스 유량, 챔버 압력, 온도 및 RF 전력 수준에 대한 정확한 제어가 포함되며, 각 특정 응용 프로그램에 대한 최적의 프로세스 조건을 보장합니다. 이 기계는 또한 고급 엔드 포인트 감지 기능을 통합하여 광학 방출 분광학 (OES) 신호 또는 기타 피드백 메커니즘 (feedback mechanism) 과 같은 미리 정의된 기준에 따라 에칭/애싱 프로세스를 정확하게 종료 할 수 있습니다. 이렇게 하면 원하는 깊이 (depth) 나 패턴 (pattern) 이 달성된 정확한 순간에 프로세스가 중지되어 기본 레이어의 오버에칭 (over-etching) 또는 손상을 방지할 수 있습니다. 뛰어난 프로세스 제어 기능 외에도 LAM RESEARCH/ONTRAK 605-048878-001 etcher/asher는 높은 처리량과 신뢰성을 위해 설계되었습니다. 이 툴에는 다중 (multi-chamber) 구성이 장착되어 있어 다중 웨이퍼의 병렬 처리가 가능하며, 제조 프로세스의 생산성과 효율성이 향상됩니다. 게다가, 이 자산 은 "반도체 '제조 시설 의 험한 환경 과 까다로운 운영 조건 을 견디도록 설계 된 견고 한 구성 요소 와 재료 로 만들어져 있다. 전반적으로 ONTRAK 605-048878-001 etcher/asher는 반도체 재료의 정확한 패턴화 및 구조화를위한 최첨단 솔루션을 나타냅니다. 고급 플라즈마 (Plasma) 생성 기능, 정밀한 프로세스 제어 기능, 높은 신뢰성을 자랑하는 이 장비는 반도체 업계의 다양한 응용 프로그램 (메모리 장치 생산, 고급 논리 칩) 에 적합합니다. 반도체 제조사들이 소자 소형화 (device miniaturization) 와 성능 (performance) 의 경계를 넓히기 위해 노력해야 할 필수불가결한 도구다.
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