판매용 중고 LAM RESEARCH DSIE III #293810178

다운 스트림 플라즈마 에치 및 애셔 장비 인 LAM RESEARCH DSIE III는 반도체 제조 공정에 사용되는 최첨단 고급 도구입니다. 이 도구는 제조 공정의 다양한 반도체 재료에 대해 정확하고 균일 한 에칭 (etching) 기능을 제공하도록 설계되었습니다. 이 시스템은 다양한 기능과 기능을 제공하여 나노 스케일 (nanoscale) 정밀도 (precision) 로 매우 복잡한 반도체 장치를 만드는 데 필수적인 도구입니다. DSIE III 장치는 다운 스트림 플라즈마 에칭 기법을 사용하는데, 여기에는 반도체 웨이퍼 표면에서 물질을 제거하기 위해 반응성 가스를 사용하는 것이 포함됩니다. 이 기계는 고밀도 플라즈마 소스 (plasma source) 를 특징으로하며, 높은 농도의 반응성 종을 갖는 활기찬 플라즈마를 생성합니다. 그 다음 에 이 "플라즈마 '는" 웨이퍼' 의 표면 으로 향하게 되는데, 거기서 그것 은 "에치 '할 물질 과 화학적 반응 을 나타내어 그 물질 을 제어 하는 방법 으로 효과적 으로 제거 한다. LAM RESEARCH DSIE III 도구의 주요 기능 중 하나는 탁월한 프로세스 제어 기능입니다. 자산에는 가스 유량, 챔버 압력, 온도, 플라즈마 전력 (plasma power) 과 같은 에칭 프로세스 매개변수를 정확하게 제어 할 수있는 고급 자동화 및 모니터링 시스템이 장착되어 있습니다. 이 제어 수준 (level of control) 은 일관된 프로세스 결과를 보장하며 전체 웨이퍼 서피스에서 매우 균일한 에치 프로파일을 생성할 수 있습니다. 뛰어난 프로세스 제어 기능 외에도, DSIE III 모델은 다용성 및 적응성으로 유명합니다. 이 장비는 다양한 웨이퍼 (wafer) 크기와 재료를 수용할 수 있으며, 다양한 반도체 제조 용도에 적합합니다. "실리콘 ', 이산화규소, III - V 화합물 혹은 기타 고급 물질 을 식각 하든지 간 에, 이" 시스템' 은 정확 하고 신뢰 할 만한 식각 결과 를 제공 하도록 최적화 될 수 있다. LAM RESEARCH DSIE III 장치는 또한 플라즈마 성분을 정확하게 제어 할 수있는 매우 정교한 가스 전달 머신 (gas delivery machine) 을 갖추고 있습니다. 이 도구를 사용하면 광범위한 반응성 가스 (reactive gase) 와 혼합물 (mixture) 을 사용할 수 있으므로 운영자가 에칭 프로세스를 특정 재료 요구사항에 맞게 조정할 수 있는 유연성을 제공합니다. 또한, 에셋에는 인사이트 (in-situ) 엔드포인트 감지 기능이 장착되어 있어, 에칭 프로세스를 실시간으로 모니터링하고 정확한 프로세스 엔드포인트 결정을 가능하게 합니다. DSIE III 모델의 또 다른 주요 장점은 높은 처리량 기능입니다. 이 장비는 빠른 주기 (cycle) 와 높은 프로세스 반복성을 통해 효율적인 웨이퍼 처리를 위해 설계되었습니다. 이 높은 처리량을 통해 반도체 제조업체는 타이트한 생산 일정을 충족시키고 전체 웨이퍼 (wafer) 수율을 향상시켜 최종적으로 칩당 비용을 절감할 수 있습니다. 전반적으로 LAM RESEARCH DSIE III 다운 스트림 플라즈마 에치 및 애셔 시스템은 반도체 제조를위한 최첨단 도구를 나타냅니다. 첨단 프로세스 제어 기능, 다용도 (versility), 그리고 높은 처리량을 통해 탁월한 정확도와 신뢰성을 갖춘 최첨단 반도체 장치를 제작하는 데 필수적인 도구입니다. 반도체 제조업체는 첨단 (advanced) 툴의 기능을 활용해 기술 혁신의 선두에 서고, 오늘날 경쟁업체 시장에서 고성능 반도체 (HPD) 디바이스에 대한 수요가 늘어날 수 있습니다.