판매용 중고 LAM RESEARCH 2300 Versys #9101595

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ID: 9101595
웨이퍼 크기: 12"
빈티지: 2008
Polysilicon etcher, 12" Conducting layer dry etching system 23PM, MW 1PM System (4) Chambers 2300 Transport module (3) 2300 Kiyo45 etch process module 2300 Micro wave strip process module (3) LSR Endpoint Gas system: Gas interface box, 3PM (IGS GB) (3) 9 Gas configuration (3) Additional gas line (AGS)/total 16 lines (3) Two heated gas line US option: System UPS circuity Seismic bracket (TM/PM/MWS) System weight dispersion plate (for TM/PM/RPM) ELB with ring lug - Qty 1 (3) Keyence BCR carrier ID User interface: side monitor UI (25) Slot input buffer station Japanese safety label Intermitted Buzzer ULPA filter interlock Service step for PM (3) FOUP Config. Additional gas line for MWS (3) Label for gas name and flow direction (3) Duct manifold exhaust PM to GB Chamber A: Chamber type:MWS Gas config. (sccm)=MFC full scale N2(1000), O2(5000), H2/N2(2000) MW 2.45GHz, max 3000W Stage heater max 300°C Chamber B: Chamber type:Kiyo45 Gas config. (sccm)=MFC full scale SiCL4(100), CF4(300), CL2(200), NF3(500), HBr(500), NF3(50), CH2F2(100), CHF3(300), SF6(50), N2(100), O2(30), O2(500), Ar(500), He(500) Source 13.56MHz, max 1500W Bias 13.56MHz, max 1500W Stage heater max 70°C Chamber C: Chamber type:Kiyo45 Gas config. (sccm)=MFC full scale SiCL4(100), CF4(300), CL2(200), NF3(500), HBr(500), NF3(50), CH2F2(100), CHF3(300), SF6(50), N2(100), O2(30), O2(500), Ar(500), He(500) Source 13.56MHz, max 1500W Bias 13.56MHz, max 1500W Stage heater max 70°C Chamber D: Chamber type:Kiyo45 Gas config. (sccm)=MFC full scale SiCL4(100), CF4(300), CL2(200), NF3(500), HBr(500), NF3(50), CH2F2(100), CHF3(300), SF6(50), N2(100), O2(30), O2(500), Ar(500), He(500) Source 13.56MHz, max 1500W Bias 13.56MHz, max 1500W Stage heater max 70°C Damaged/missing parts: PM1 MW Generator, ASTEX FI20160-3 PM3 TMP Controller , Edwards SCU-1500 PM4 TMP Controller, Edwards SCU-1500 2008 vintage.
LAM RESEARCH 2300 Versys Kiyo 45는 오늘날의 반도체 제작 프로세스에서 자동화 및 프로세스 성능을 향상시키기 위해 설계된 에치/애쉬 (etch/ash) 장비입니다. LAM RESEARCH 2300 VERSYS KIYO45 도구는 실리콘 기반 재료의 플라즈마 에칭 및 반응성 이온 에칭 (재) 을 위해 안정적이고 강력하며 효율적인 솔루션을 제공합니다. 이러한 도구의 자동화 기능이 향상되어 일반적인 런타임 (run-time) 이 2 분 미만인 웨이퍼의 처리량이 많은 배치 처리에 이상적입니다. 2300 Versys Kiyo 45 etch/ash 시스템은 에치 및 애쉬 프로세스에 대해 매우 통제 된 반응성 이온 농도를 제공하기 위해 다이오드 펌핑 된 레이저를 사용합니다. 고출력 레이저는 낮은 수준의 할라이드 수소 또는 HEOM (Helium-oxygen) 가스를 생산하여 화학 결합을 끊고 높은 정밀도의 웨이퍼에서 재료 층을 제거 할 수 있습니다. 에치/애쉬 공정은 레이저의 온도, 압력, 시약 농도 및 전력 수준을 제어함으로써 수행됩니다. 이를 통해 매번 정확하고 반복 가능한 결과를 얻을 수 있습니다. 2300 VERSYS KIYO45에는 에치 챔버, 애쉬 챔버 및 퍼지 챔버를 포함한 3 개의 주요 챔버가 있습니다. 에치 챔버 (etch chamber) 는 플라즈마 소스 (plasma source) 를 사용하여 반응성 이온을 생성하는 반면, 애쉬 챔버 (ash chamber) 는 진공 기술을 사용하여 얇은 수동성 물질 층을 웨이퍼에 배치합니다. 두 챔버 모두 독립적 인 압력 제어 (Pressure Control) 및 온도 프로파일 링 시스템을 사용하여 반복 가능하고 안정적인 결과를 보장합니다. 제거 챔버 (purge chamber) 는 프로세스 주기 사이의 챔버를 빠르게 청소하여 배치 처리 시간을 단축하도록 설계되었습니다. LAM RESEARCH 2300 Versys Kiyo 45에는 공정이 시작되기 전에 기계의 상태를 평가하고 오류를 복구하는 자체 테스트 장치 (self-test unit) 를 포함하여 고급 안전 시스템이 장착되어 있습니다. 이 기계의 보호 인클로저에는 화재 및 가스 탐지 시스템, 정적 방지, 기온 모니터링, 비상 종료 시스템 등이 있습니다. LAM RESEARCH 2300 VERSYS KIYO45는 etch/ash 프로세스에 효율적이고 안정적인 솔루션을 제공하여 반도체 장치의 처리량을 높입니다.
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