판매용 중고 HITACHI (2) Chambers for MU 712E #293738135

HITACHI (2) Chambers for MU 712E는 반도체 제조업체의 고급 처리 요구를 충족시키기 위해 설계된 최첨단 etcher/asher 장비입니다. 이 고급 시스템은 단일 플랫폼 내에 2 개의 프로세스 챔버를 통합하여 유연하고 효율적인 웨이퍼 처리 기능을 제공합니다. HITACHI (2) Chamber for MU 712E는 다양한 정교한 기능과 기능을 갖추고 있어 고성능 반도체 장치 제조를 위한 정확하고 안정적인 에칭 및 애싱 (eching) 프로세스를 보장합니다. HITACHI (2) MU 712E 용 챔버 (Chamber for MU 712E) 의 첫 번째 챔버는 에칭 프로세스 전용이며, 두 번째 챔버는 애싱 응용 프로그램을 위해 설계되었습니다. 이 이중 챔버 구성을 사용하면 여러 시스템 간에 수작업으로 전송할 필요 없이 순차적으로 웨이퍼를 처리할 수 있으며, 운영 워크플로를 간소화하고, 전반적인 효율성을 향상시킬 수 있습니다. 두 챔버 모두 고급 가스 전달 시스템 (gas delivery system), 온도 조절 (temperature control) 및 플라즈마 생성 기능을 갖추고 있어 여러 웨이퍼에서 일관되고 균일 한 처리 결과를 보장합니다. MU 712E용 HITACHI (2) 챔버의 에칭 챔버 (etching chamber) 는 에칭 프로세스 매개변수를 정확하게 제어 할 수있는 고정밀 가스 분사 장치를 특징으로합니다. 이 챔버에는 실리콘, 실리콘 산화물, 금속층 등 다양한 물질의 선택적 에칭을위한 균일 한 플라즈마 농도를 생성하는 고출력 RF 플라즈마 소스가 장착되어 있습니다. 이 챔버에는 정확한 프로세스 모니터링 및 제어를 위해 엔드 포인트 감지 (endpoint detection) 기능이 장착되어 있습니다. 한편, MU 712E 용 HITACHI (2) 챔버의 애싱 챔버 (ashing chamber) 는 에칭 공정 후 웨이퍼 표면에서 유기 및 무기 잔기를 제거하도록 특별히 설계되었습니다. 이 챔버에는 산소 및 플루오린 기반 화합물과 같은 애싱 가스 (ashing gase) 를 정확하게 도입 할 수있는 전용 가스 전달 머신 (gas delivery machine) 이 있습니다. 챔버에는 유기 화합물과 재 잔기 (ash residue) 를 효과적으로 분해하는 고온 플라즈마 소스가 장착되어 있으며, 깨끗하고 잔류하지 않은 웨이퍼 표면을 남깁니다. HITACHI (2) MU 712E용 챔버 (Chambers for MU 712E) 는 직관적이고 사용자에게 친숙한 인터페이스를 통해 작동되며, 이 인터페이스를 통해 에칭 및 어싱 프로세스를 실시간으로 모니터링하고 제어할 수 있습니다. 이 툴에는 고급 프로세스 레시피 (process recipe) 관리 소프트웨어가 장착되어 있어 특정 반도체 애플리케이션에 맞게 사용자 정의된 프로세스 레시피를 만들고 최적화할 수 있습니다. 연산자는 가스 유량 (gas flow rate), 전력 수준 (power level), 챔버 압력 (chamber pressure) 과 같은 프로세스 매개변수를 쉽게 조정하여 원하는 처리 결과를 얻을 수 있습니다. HITACHI (2) Chambers for MU 712E 는 고급 처리 기능 외에도 안전성과 안정성에 중점을 두고 설계되었습니다. 이 자산에는 자동화된 안전 인터 록 (Safety Interlock) 과 비상 셧다운 메커니즘이 장착되어 있어 운영자 보호, 운영 중 사고 발생 가능성을 방지합니다. 이 모델은 또한 견고한 설계 및 시공을 통해 반도체 제조 설비의 장기적인 안정성, 최소한의 다운타임을 보장합니다. 전반적으로, MU 712E 용 HITACHI (2) 챔버는 고급 반도체 장치의 고품질 처리 결과를 얻기 위해 반도체 제조업체에 탁월한 성능, 유연성, 신뢰성을 제공하는 최첨단 etcher/asher 장비입니다. 이중 챔버 구성, 고급 프로세스 제어 (process control) 기능, 사용자 친화적 인 인터페이스를 통해 최신 반도체 제조 시설을 위한 다목적, 필수 불가결 한 도구입니다.