판매용 중고 CORIAL ICP Etcher #293758417

CORIAL ICP Etcher는 반도체 기판에서 재료 레이어를 정확하고 효율적으로 제거하도록 설계된 최첨단 플라즈마 에칭 장비입니다. 이 혁신적인 도구는 ICP (Inductively Coupled Plasma) 기술과 고급 프로세스 제어 기능을 통합하여 다양한 재료 및 응용 프로그램에 걸쳐 탁월한 에칭 성능과 뛰어난 프로세스 균일성을 제공합니다. ICP 에처 (ICP Etcher) 의 핵심에는 공정 챔버에서 강한 전자기장을 유발하는 코일 (coil) 과 결합 된 RF (radiofrequency) 전원 공급 장치에 의해 생성 된 고밀도 플라즈마 소스가 있습니다. 이 ICP 소스는 우수한 선택성 (selectivity) 과 측벽 프로파일 제어를 유지하면서 높은 식각 속도를 달성하는 데 필수적인 고이온화, 에너지 성 플라스마를 생성합니다. ICP 원천은 공정 압력과 독립적으로 작동하여 이온 에너지 (ion energy) 와 방향성을 정확하게 튜닝하여 다른 재료 및 형상에 대한 에칭 매개변수를 최적화합니다. CORIAL ICP 에처 (CORIAL ICP Etcher) 의 플라즈마 에칭 공정은 반응성 가스 분자 및 이온과 기질 표면의 상호 작용을 포함하고, 일련의 복잡한 반응을 통해 물질층의 물리적, 화학적 제거를 초래한다. 이 시스템에는 에찬트 (etchants), 전구체 (prefursor), 딜루언트 (diluent) 와 같은 공정 기체의 정확한 제어가 가능한 가스 전달 장치 (gas delivery unit) 가 장착되어 특정 재료 스택 및 장치 구조에 대한 에칭 화학과 선택성을 조정합니다. 또한, 이 기계는 에칭 과정에서 균일 한 가스 분배 및 부산물의 효율적인 퍼징을 보장하는 전용 가스 분사 쇼어 헤드 (showerhead) 디자인을 특징으로합니다. ICP Etcher는 다양한 장치 설계 및 패턴 요구 사항을 수용하기 위해 등방성 (isotropic), 이방성 (anisotropic) 및 하이브리드 에칭 (hybrid etching) 을 포함한 다양한 에칭 모드를 제공합니다. 공구의 공정 챔버 (process chamber) 에는 에칭 중에 기판을 안전하게 보관하고 온도 조절을 위해 효율적인 열 전달을 용이하게하는 정전기 척 (정전기 척) 이 장착되어 있습니다. ESC는 기판 충전 효과를 제어하고 웨이퍼 표면에서 에치 균일 성을 향상시키기 위해 편향될 수있다. 정확한 프로세스 제어 및 모니터링을 위해 CORIAL ICP Etcher에는 정교한 플라즈마 임피던스 매칭 네트워크 (impedance matching network) 및 RF 전원 제어 에셋이 장착되어 있으며, 플라즈마 조건 및 프로세스 요구 사항에 따라 ICP 소스에 전달되는 전력을 지속적으로 조정합니다. 이 모델은 또한 광학 방출 분광학 (OES) 및 레이저 간섭법 (Laser interferometry) 과 같은 실시간 엔드 포인트 탐지 기능을 통해 에치 속도를 정확하게 모니터링하고 에칭 프로세스의 완료를 감지합니다. 고급 프로세스 기능 외에도 ICP Etcher 는 사용자 친화적 인 소프트웨어 인터페이스 (Software Interface) 와 직관적인 레시피 관리 장비 (Recipe Management Equipment) 를 사용하여 설계되어 에칭 프로세스를 쉽게 설정하고 최적화할 수 있습니다. 이 시스템의 자동화 (Automation) 기능은 운영자의 개입이 최소화되면서 기판의 처리량이 높아 연구/운영 환경 모두에 이상적인 솔루션이 됩니다. 전반적으로 CORIAL ICP Etcher는 최첨단 기술과 고급 프로세스 제어 기능을 결합한 최첨단 플라즈마 에칭 툴 (Plasma Etching Tool) 을 사용하여 광범위한 반도체 제조 어플리케이션을 위한 탁월한 에칭 성능 및 프로세스 유연성을 제공합니다.