판매용 중고 CANON ANELVA ILD 4003 #293772674

CANON ANELVA ILD 4003
ID: 293772674
웨이퍼 크기: 5"
Dry etchers, 5".
CANON ANELVA ILD 4003은 반도체 제조 산업을 위해 설계된 고급형 etcher/asher 장비입니다. 최첨단 장비는 최첨단 기술을 통합하여 에칭 (etching) 및 애싱 (ashing) 프로세스, 반도체 장치 제작의 중요한 단계에서 탁월한 성능을 제공합니다. ILD 4003 시스템의 중심에는 반도체 웨이퍼에서 재료를 정확하고 균일 하게 제거 할 수있는 정교한 플라즈마 에칭 챔버 (etching chamber) 가 있습니다. 이 장치에는 에친트 가스 (etchant gase) 를 정확하게 제어 할 수있는 고급 가스 전달 시스템 (advanced gas delivery system) 이 장착되어 웨이퍼 표면에서 높은 에치 레이트와 균일성을 달성하기위한 최적의 프로세스 조건을 보장합니다. CANON ANELVA ILD 4003은 이중 주파수 RF 플라즈마 소스를 특징으로하며, 효율적인 에칭을위한 고밀도 플라즈마와 유기 잔기의 효과적인 재싱을위한 저주파 플라즈마를 모두 제공합니다. 이 이중 주파수 (Dual-Frequency) 기능을 통해 기계는 광범위한 프로세스 요구사항을 수용할 수 있으며, 반도체 제조의 다양한 어플리케이션에 적합하고 다양합니다. 고급 플라즈마 소스 (Plasma Source) 외에도 ILD 4003 은 프로세스 안정성과 반복 가능성을 보장하는 다양한 프로세스 모니터링 및 제어 기능을 갖추고 있습니다. 이 도구에는 실시간 엔드포인트 검색 기능 (etch depth 및 endpoint detection) 이 포함되어 있어 etching 프로세스 동안 에치 깊이와 엔드포인트를 정확하게 제어할 수 있습니다. 이렇게 하면 원하는 에치 (etch) 깊이가 여러 웨이퍼에 걸쳐 일관되게 달성되고 프로세스 수익률과 신뢰성이 향상됩니다. CANON ANELVA ILD 4003은 또한 반도체 제조의 프로세스 효율성을 최적화하고 주기 시간을 줄이기 위해 설계되었습니다. 이 자산은 빠른 가스 흐름 제어 및 빠른 가스 대피 기능을 갖추고 있으며, 빠른 프로세스 시작 및 셧다운을 위해 빠른 챔버 펌프 다운 (pumber-down) 및 가스 퍼징 (gas purging) 을 가능하게합니다. 이로 인해 처리량이 증가하고 전체 처리 시간이 단축되어 반도체 제조 설비의 생산성이 향상됩니다 (영문). 또한, ILD 4003은 프로그래밍 가능한 레시피 관리 모델을 통해 높은 수준의 프로세스 유연성을 제공합니다. 이 장비를 통해 운영자는 다양한 에칭 (etching) 및 애싱 (ashing) 애플리케이션을 위한 맞춤형 프로세스 레시피를 만들고 저장할 수 있으며, 변화하는 프로세스 요구사항 또는 새로운 디바이스 설계에 유연하게 적용할 수 있습니다. 이 기능을 통해 반도체 제조업체는 프로세스 매개변수를 정확하게 제어하고 특정 장치 사양에 대한 프로세스 조건을 최적화 할 수 있습니다. 전반적으로 CANON ANELVA ILD 4003은 반도체 제조 응용 프로그램을 위해 탁월한 성능, 프로세스 제어 및 유연성을 제공하는 최첨단 etcher/asher 시스템입니다. 고급 플라즈마 기술, 정밀한 프로세스 모니터링, 효율적인 가스 흐름 제어 (gas flow control) 를 통해 반도체 제조업체에게는 제조 공정에서 높은 수율, 품질, 신뢰성을 달성하기 위해 필요한 도구를 제공합니다.
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