판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS Mesa II #293823495
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ID: 293823495
Polysilicon etcher
Mainframe
(8) Chambers
(6) MESA2 Process chambers
(2) Strip auxiliary chambers
Application: Titanium nitride deposition.
에처/애셔 (etcher/asher) 라고도하는 AMAT/APPLIED MATERIALS Mesa II는 고성능 전자 장치 제조에 중요한 기능을 수행하도록 설계된 최첨단 반도체 처리 도구입니다. 그것 은 "플라즈마 에처 '족속 에 속하는데, 이것 은 반도체" 웨이퍼' 에 있는 박막 의 정확 하고 제어 된 에칭 을 위해 반도체 산업 에 널리 사용 되고 있다. AMAT Mesa II 장비의 중심에는 반응성 가스와 RF 에너지의 조합을 사용하여 웨이퍼 표면에서 선택적으로 물질을 에치 (etch) 하거나 재 (ash) 하는 고밀도 플라즈마 챔버가 있습니다. 이 과정의 주요 목적은 전자 회로 (Electronic Circuit) 와 장치 (Device) 의 기초를 형성하는 웨이퍼 (Wafer) 에 복잡한 패턴과 구조를 정의하는 것입니다. APPLIED MATERIALS Mesa II 시스템은 고성능 및 신뢰성에 기여하는 첨단 기술 및 혁신적인 설계 요소를 갖추고 있습니다. 한 가지 핵심 기능은 이중 주파수 (Dual-Frequency) RF 소스를 사용하는 것으로, 플라즈마 특성을 정확하게 제어하고 프로세스 유연성을 높입니다. 이를 통해 유닛은 탁월한 에치 속도, 균일성, 선택성을 달성할 수 있으며, 이를 통해 디바이스 성능과 생산성을 향상시킬 수 있습니다. 메사 II 머신 (Mesa II machine) 의 또 다른 중요한 측면은 정교한 가스 전달 도구 (gas delivery tool) 로, 프로세스에 사용 된 반응성 가스의 유속 및 혼합 비율을 정확하게 제어합니다. 이를 통해 에셋은 플라즈마 화학을 특정 프로세스 요구 사항에 맞게 조정하여 에치 프로파일 (etch profile) 을 최적화하고 사이드 월 (sidwall) 을 최소화 할 수 있습니다. 프로세스 제어 및 반복 가능성을 더욱 향상시키기 위해 AMAT/APPLIED MATERIALS Mesa II 모델에는 고급 엔드포인트 감지 기능이 장착되어 있습니다. 이를 통해 장비는 에치 프로세스 (etch process) 의 진행 상황을 실시간으로 정확하게 모니터링하고 원하는 에치 깊이 (etch depth) 나 엔드포인트에 도달하면 프로세스를 안정적으로 종료할 수 있습니다. AMAT 메사 II (AMAT Mesa II) 시스템은 에칭 기능 외에도 애셔 (asher) 기능을 갖추고 있으며, 이는 웨이퍼 표면에서 포토 esist 및 기타 유기 물질을 제거하는 데 사용됩니다. 이것은 반도체 제조 공정에서 중요한 단계이며, 증착 (deposition) 및 이온 이식 (ion implantation) 과 같은 후속 처리 단계에 대한 웨이퍼를 준비합니다. APPLIED MATERIALS Mesa II 장치는 사용 편의성과 유지 관리를 염두에 두고 설계되었으며, 사용자에게 친숙한 인터페이스와 견고한 구성이 특징입니다. 또한 고급 프로세스 모니터링 (Advanced Process Monitoring) 및 진단 (Diagnostic) 기능을 통해 운영자는 처리 중에 발생할 수 있는 모든 문제를 신속하게 파악하고 문제를 해결할 수 있습니다. 전반적으로, Mesa II etcher/asher는 정확성과 신뢰성을 갖춘 고성능 에칭 및 애싱 (ashing) 프로세스를 달성하려는 반도체 제조업체를 위한 최첨단 솔루션입니다. 첨단 기능, 혁신적인 설계, 탁월한 프로세스 제어 (process control) 기능을 통해 최첨단 전자 기기를 생산하고 경쟁력 있는 반도체 시장에서 높은 장치 생산량을 확보하는 데 필수적인 도구입니다.
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