판매용 중고 AMAT / APPLIED MATERIALS DPS II #293815928

AMAT/APPLIED MATERIALS DPS II는 석판 공정에 반도체 산업에서 사용되는 에처/애셔입니다. 멀티 챔버, 고밀도 플라즈마 장비를 사용하여 원치 않는 재료를 탈취합니다. 이 시스템은 화학 물질, 가스 및 RF 에너지의 조합을 사용하여 플라즈마 에치를 만듭니다. 그것 은 "플라즈마 '의 온도 와 건조 시간 을 정확 하게 조절 하여 정확성 과 생산성 을 보장 한다. AMAT DPS II는 ICP (Inductively Coupled Plasma) 및 RIE (Reactive Ion Etching) 와 같은 에칭 기술을 사용하여 원하는 재료를 에칭합니다. 이러한 고급 에치 기술은 높은 에칭 속도, 낮은 에치 비율 (over-etch) 및 기판 표면에 대한 에치 균일성을 제공합니다. ICP는 얇은 기판에 고속 에칭을 제공합니다. 한편, RIE는 높은 종횡비로 더 두꺼운 기판을 에치합니다. 이 장치에는 etch endpoint 측정에 사용되는 온라인 EPD (Endpoint Detection) 기계가 장착되어 있습니다. 따라서 원하는 끝점에 도달하고 더 이상 도달하지 않을 때까지만 에칭이 계속됩니다. 또한 불필요한 오버 에칭 및 잘못된 스트립 잔기를 방지합니다. Endpoint Detection Tool은 프로세스 일관성과 수익률을 높여줍니다. 에셋에는 에칭 후 기판을 anneal하는 데 사용되는 Annealing Feature도 포함됩니다. 이것은 기판에 장치를 정확하게 정렬하여 장치 형성을 개선합니다. 이 모델에는 고급 MLE (Multi-Layer Etch Equipment) 가 있으며, 이는 서로 다른 시간과 깊이에서 순차적 에칭을 수행 할 수 있습니다. 이 기술은 높은 처리량으로 높은 에치 속도를 보장합니다. 또한, MLE를 사용하면 하나의 단일 에치 챔버 (single etch chamber) 에서 다중 에치 프로세스를 수행 할 수 있으므로 전체 에치 시간이 줄어들고 에치 프로세스가 더 효율적입니다. 이 시스템에는 대형 2 인치 및 4 인치 웨이퍼를 수용 할 수있는 대용량 로드록 챔버가 있습니다. 또한 통일성 제어 (uniformity control) 를 갖추고 있으며, 사용자가 에칭 전에 플라즈마 프로파일을 조정하여 웨이퍼 전체에 균일 한 에칭을 달성 할 수 있습니다. 이렇게 하면 "에칭 '과정 의 시작 부터 끝 까지 균일 한 결과 를 얻을 수 있다. 이 장치는 사용자에게 각 특정 에치 프로세스 (etch process) 에 대해 플라즈마의 가스 조성을 수동으로 조정할 수있는 기능을 제공하여 특정 요구에 맞게 에치 프로세스 (etch process) 를 최적화 할 수있는 능력을 제공합니다. 이 기능을 사용하면 에칭 프로세스를 최대한 활용할 수 있습니다. APPLIED MATERIALS DPS II는 고성능 에칭 기능을 자랑하는 고급 에처/애셔입니다. 또한 Multi-Layer Etch Machine, Endpoint Detection Tool, Uniformity Control 등의 다양한 기술 및 기능을 통해 프로세스 결과의 정확성, 생산성 및 일관성을 높일 수 있습니다. "가스구성물 (gas composition) '과" 웨이퍼 (wafer)' 용량이 커지면 필요에 맞게 프로세스를 세밀하게 조정할 수 있다. 이 에칭 에셋 (etching asset) 은 완벽하게 수행되도록 설계되었으며 석판 공정에서 고품질의 결과를 얻기 위해 맞춤형으로 제작되었습니다.