판매용 중고 KOKUSAI Quixace II ALD Nitride #9397062

KOKUSAI Quixace II ALD Nitride는 다양한 박막 증착 및 이온 이식 과정을 처리하도록 설계된 확산 로입니다. 다층 박막 (thin film) 과 가장 복잡한 도펀트 프로파일 (dopant profile) 의 증착을 위해 우수한 공정 제어를 제공하기 위해 설계된 단일 챔버 확산 로입니다. 이 장비는 최대 38 개의 웨이퍼를 동시에 처리할 수 있으며, 대기 시간을 제거하고, 생산 처리량을 극대화합니다. Quixace II ALD Nitride 확산은 다양한 프로세스 옵션을 제공합니다. 이를 통해 PECVD 및 ALD 시스템의 조합을 통해 사용자는 원하는 재료를 더 높은 균일성과 더 큰 재현성으로 배치 할 수 있습니다. 가압식 "시스템 '은 증착율 을 높여 생산 처리량 을 더욱 향상 시킬 수 있다. 프로세스 옵션에는 고온 어닐링 (annealing) 및 RF 이온 임플란테이션 (implantation) 도 포함되어 있어 사용자가 가장 복잡한 도펀트 프로파일을 만들 수 있습니다. KOKUSAI Quixace II ALD Nitride 확산 로에는 정확하고 반복 가능한 결과를 위해 프로세스 제어가 자동화되었습니다. 이 장치는 자율 작업 (autonomous operation) 에 적합하며, 사용자는 다양한 프로세스 매개변수를 즉시 수정 및 모니터링할 수 있습니다. 또한 내장 냉각기 (Inbilt Cooling Machine) 를 사용하여 도구가 웨이퍼에 손상을 입히지 않고 고온 프로세스를 지속적으로 처리 할 수 있습니다. Quixace II ALD Nitride의 유연성은 옵션 로딩 자산을 추가하고, 완전 자동화된 진공 처리 라인에서 다른 시스템과 통합할 수 있게 해 줍니다. 이렇게 하면 사용자가 기판 운영 처리량을 완전히 제어할 수 있습니다. 코쿠사이 (KOKUSAI) 는 와퍼 취급용 로봇암 (Robot Arm), 완전 자동화 모델을위한 크류 펌프 (Cryopump) 및 기계식 진공 펌프 (Vacuum Pump) 와 같은 추가 액세서리를 공급할 수도 있습니다. 전반적으로 KOKUSAI Quixace II ALD Nitride 확산 로는 복잡한 박막 및 도펀트 프로파일을 만들기위한 고급 장비입니다. 자동화된 프로세스 제어, 다양한 프로세스 옵션, 대용량 웨이퍼 (wafer) 를 효율적으로 처리할 수 있는 기능 등을 통해 박막 (thin-film) 및 이온 (ion) 임플랜테이션 어플리케이션을 위한 완벽한 선택이 가능합니다.