판매용 중고 AIXTRON AIX 2400 G3 #9194776

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제조사
AIXTRON
모델
AIX 2400 G3
ID: 9194776
빈티지: 1999
InP Reactor 11x2” (2) AsH3 PH3 SiH4 H2Se (2) CCl4 HCl (2) TMGa (3) TMIn (2 with Epison III) TMAl DEZn (2) H2 Pd cell purifiers NESLAB Chiller 1999 vintage.
AIXTRON AIX 2400 G3는 다양한 까다로운 산업 재료 및 장치 연구 응용 영역의 요구를 충족시키기 위해 설계된 고성능 밀폐 금속 유기 화학 증기 (MOCVD) 원자로입니다. 이 최첨단 원자로는 밀봉 된 석영 튜브 환경에서 반응성 가스 흐름을 제공하는 다재다능한 장비로, GaAs, GaN, InGaN, AlGaAs, InGaAs, InGaP, GaP, GaP 등의 광범위한 재료에 대해 매우 높은 성장률과 품질을 제공합니다. AIXTRON AIX 2400 G 3은 강력한 기판 가열 시스템을 특징으로하여 실온에서 1,100 ° C까지의 다양한 성장 온도에서 정확한 온도 제어를 보장합니다. 독자적인 wafer-flip 기술은 통일성 성능과 처리량을 획기적으로 향상시켜 single-wafer 및 multi-wafer 처리 기능을 모두 제공합니다. 또한, 7 구역 도가니 유닛은 가장 복잡한 재료에 대해 효율적이고 정확한 프로세스 제어를 가능하게합니다. 또한 AIX 2400 G3는 최첨단 챔버 설계 덕분에 뛰어난 안정성과 성능을 제공합니다. 고효율 플라스마 소스는 모든 반응성 가스 종에 뛰어난 성능을 제공하는 반면, 이동성 질량 (mobile mass) 과 세라믹 개스킷 (ceramic gasket) 은 뛰어난 장기 챔버 안정성을 제공합니다. 또한, AIX 2400 G 3은 자동화된 프로세스 매개 변수 모니터링 및 긴급 인터 록을 포함한 고급 안전 기능을 제공합니다. 이 고급 원자로는 또한 질화 갈륨 (GaN) 및 질화 알루미늄 갈륨 (AlGaN) 과 같은 넓은 밴드 갑 반도체의 성장을위한 이상적인 플랫폼을 제공합니다. 특허를받은 웨이퍼 플립 기술의 최신 발전으로 AIXTRON AIX 2400 G3는 고품질의 균일 한 GaN 및 AlGaN 성장을 제공합니다. 또한, 플라즈마 소스, 7 구역 도가니 기계 및 증착 도구는 고급 광학, 전자 및 광전자 장치 제조에 대한 반응물, 온도 및 압력을 정확하게 제어 할 수 있습니다. AIXTRON AIX 2400 G 3 (AIXTRON AIX 2400 G 3) 는 최고 수준의 성능, 안정성 및 제어 기능을 제공하여 여러 업종의 하이엔드 자재 및 디바이스 연구에 이상적인 솔루션입니다.
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