판매용 중고 KOKUSAI Quixace II ALD High-k #9196072
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판매
ID: 9196072
웨이퍼 크기: 12"
빈티지: 2010
Vertical LPCVD furnace, 12"
Process: CG DEP PROCESS (TaN)
Power rating: 480 AC, 3 Phase
(5) Loaders
System configuration:
Furnace unit:
Cartridge heater
(5) T/C for heater control
(5) T/C for over temperature protection
5-P T/C for cascade control
Thyristor unit for control
(4) Clean module units
Controller:
Main controller (OU)
Main operation unit
Sub operation unit
Process module controller
DDC Temperature controller
Gate drive unit
MFC/ Pressure unit
FOUP Loader controller unit
Wafer handling controller unit
Valve / Interlock control unit
Switching hub
Signal tower (Front)
(2) Gas flow pattern panels
EDA Controller
EDA Operation unit
Drive mechanisms:
I/O Shutter
AGV / PGV / OHT Stage
FOUP Loader
Rotation FOUP storage
FOUP Opener
(2) Wafer detections
Wafer transfer
Variable wafer pitch converter
Boat elevator
Boat changer
Furnace port shutter
Boat rotation
Wafer transfer crash detector
Gas system:
Gas unit (IGS)
Bottle heater
Stainless steel Ampoule with ultrasonic level sensor
4-PT Level sensor controller
Exhaust system:
Dry pump / Mechanical booster pump
Diaphragm sensor:
1000 Torr: 631C13TBEH
10 Torr: 631C11TBEH
10 Torr: 722B11TCE2FA
Main valve (VEC-SHA8-X0340)
Exhaust piping
Exhaust dilution line
Reactor tube press leak line
Back ground line
Jacket heater for exhaust pipe
Seal cap heater
Inlet flange heater
Reactor tube port heater
Safety:
Light curtain system
(2) OHT I/F Units
CIDRW Controller
(2) AMP Units
(2) CIDRW Headers
(2) Chemical filters
N2 Purge load lock system:
O2 Monitor / Detector
FOUP Opener: N2 Purge system
Loading area:
MFC
N2 Purge line
FOUP Opener: N2 Purge Line
Currently installed
2010 vintage.
KOKUSAI Quixace II ALD High-k는 최첨단 ALD (Atomic Layer Deposition) 확산 로로, 고온 및 고단계 해상도 프로세스 제어를 가진 박막 성장에 사용될 수 있습니다. 고정밀도 온도 조절 장비와 같은 사용자 친화적 (user-friendly) 기능을 효율적이고 안정적인 핫 가스 소스와 안정적인 가공소재 (workpiece chuck) 와 결합합니다. 이 용광로의 독특한 특징은 2 단계 반응물 전달 시스템 (reactant delivery system) 으로, 뛰어난 정확도로 반응물의 큰 부분을 전달할 수 있습니다. 반응물 전달 장치 (reactant delivery unit) 는 매우 구성이 가능하며, 다양한 증착 응용 프로그램에 적응 할 수 있으며, 이는 엄청나게 다양한 장비입니다. 또한 이 시스템에는 다양한 액세서리 (accessory) 가 제공되어 기능을 더욱 향상시키고 사용자의 요구 사항을 충족할 수 있도록 합니다. 여기에는 정확한 온도 조절을위한 가스-흐름 도구 (gas-flow tool) 와 높은 온도에서 ALD 프로세스를 사용자 정의하고 더 많은 제어 할 수있는 프로그래밍 가능한 논리 컴퓨터 (programmable logic computer) 가 포함됩니다. 용광로에는 압력 (pressure) 과 온도 모니터링 (temperature monitoring), 과온 차단 (over-temperature shutoff) 등 안전 기능이 제공됩니다. Quixace II ALD High-k 확산 로는 다양한 프로세스 조건에서 안정적으로 수행되도록 설계되었으며, 일관되고 정확한 결과를 제공하는 데 중점을 둡니다. 이 자산은 정확한 레이어 두께 균일성을 갖춘 HfO2, ZrO2 및 Al2O3과 같은 다양한 고압 유전체를 정확하게 배치하도록 특별히 설계되었습니다. 또한, KOKUSAI Quixace II ALD High-k는 이중 단계 반응성 전달 모델 덕분에 퇴적 된 필름의 표면에서 불편을 피하면서 전체 ALD 프로세스를 제어 할 수 있습니다. 또한, 이 장비의 균일 한 열 분배는 반응 시간을 줄이고 안정적인 증착 속도를 보장하는 데 도움이됩니다. 마지막으로, 자동화된 하드웨어 진단 (Automated Hardware Diagnostics) 기능을 통해 사용자는 프로세스 매개변수에 대한 즉각적인 피드백을 제공하고 필요에 따라 프로세스를 최적화하고 조정할 수 있습니다. Quixace II ALD High-k는 박막 성장을 위해 다양하고, 사용자 친화적이며, 신뢰할 수있는 플랫폼을 제공하는 고급 확산 로입니다. 2 단계 반응물 전달 장치 (reactant delivery unit), 가스 흐름 기계 (gas-flow machine) 및 프로그래머블 논리 컴퓨터 (programmable logic computer) 와 같은 다양한 기능과 액세서리가 장착되어 있으며, 이 모든 것이 일관되고 정확한 결과를 제공하는 데 도움이됩니다. 이 장비는 가장 높은 온도 수준에서 큰 분수 증착 과정 (fractional deposition process) 을 수행하려는 사람들에게 이상적인 선택입니다.
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