판매용 중고 MAXIS 300LAH #9258012

MAXIS 300LAH는 높은 처리량 어플리케이션을 위해 설계된 고급 에칭 및 애싱 장비입니다. 이 "시스템 '은 300" 나노미터' 의 "갈륨 '" 이온' 원 과 고속 "펄스 '제어 장치 를 갖추고 있어서 우월 한" 에칭' 과 "애싱 '결과 를 가져온다. 300LAH는 소형 4 축 로봇 컨트롤러, 자동 웨이퍼 로더, 다중 모드 웨이퍼 핸들러 및 300 나노 미터 Ga 이온 소스로 구성됩니다. 웨이퍼 처리 장치 (wafer handling unit) 는 시간당 최대 500 웨이퍼의 처리율로 2 개의 웨이퍼를 동시에 에칭 및 애싱 할 수 있습니다. 자동 로더를 사용하면 한 번에 최대 15 개의 웨이퍼를 빠르게 로드할 수 있으며, 다중 모드 웨이퍼 핸들러 (wafer handler) 를 사용하면 추가 수동 설정 없이 다른 웨이퍼 패턴을 처리할 수 있습니다. 300 나노 미터 Ga 이온 소스는 고품질 에칭 및 애싱 결과를 생성하도록 설계되었습니다. 이온 소스에는 고온, 고압 제트 스키머 (jet skimmer) 가 장착되어 균일하고 고밀도 출력을 생산합니다. 또한 파퍼 (wafer) 표면을 관통하는 고 에너지 이온 빔 (beam) 을 생성하여 에칭 (etching) 과 애싱 (ashing) 결과가 개선되는 독점 전자 충격 에미터가 특징입니다. 또한, 빔 생산 (beam production) 을 조정하여 다양한 결과에 대해 다른 표면 효과를 생성 할 수 있습니다. 고급 자동 초점 기계는 프로세스 균일성과 정확성을 향상시키는 데 도움이됩니다. 이 도구는 빔 (beam) 의 모양과 방향을 정확하게 제어하기 위해 스테이지-투-포커스 (stage-to-focal) 평면 간격을 자체 조정하여 이온이 품질 에칭 (etching) 및 애싱 (ashing) 프로세스에 필요한 정밀도로 웨이퍼에 맞도록 합니다. MAXIS 300LAH는 이온 챔버 퍼징, 자산 진단, 빔 및 웨이퍼 안전 피드백 시스템, 경보 모델 등의 우수한 안전 기능으로 제작되었습니다. 이 모든 기능을 사용하면 사용자가 안전하게 운영 (Secure Environment) 할 수 있습니다. 결론적으로, 300LAH는 높은 처리량 응용프로그램을 위해 설계된 강력한 다기능 etcher 및 asher 장비입니다. 300 나노 미터 갈륨 이온 소스, 자동 초점 시스템, 고급 안전 기능을 사용하면 효율적이고 정확한 에칭 및 애싱 프로세스를 사용할 수 있습니다. 이 장치는 대규모 생산 및 연구 목적에 이상적입니다.