판매용 중고 LAM RESEARCH / DRYTEK DRIE-100 #9093529

ID: 9093529
Plasma Wafer Etcher Uses chlorine- and fluorine-based chemistries for etching various Si, polysilicon, nitride, tungsten, tungsten silicide films Laser interferometer for etch rate determination and end-point detection. Various Accessories & Wafer Holders Included Complete Manuals Included Optional: Leybold-Heraeus D60A Trivac Rotary Vane Vacuum Pump w/Breaker Box.
LAM RESEARCH/DRYTEK DRIE-100은 반도체 제조에 사용되는 산업 에처 및 애셔입니다. 이 장비는 실리콘, 쿼츠, 폴리머 등 다양한 기판의 매우 정밀하고 균일 한 에칭을 위해 설계되었습니다. DRYTEK DRIE-100은 C2F6/O2/SF6 혼합물에서 저압, 고밀도 플라즈마 소스 생성 플라즈마를 특징으로하여 밀폐된 챔버에서 프라임 및 서셉터 웨이퍼를 모두 에치 및 재로 만듭니다. 이 시스템은 DRIE (Deep Reactive Ion Etching) 프로세스를 사용하여 건식 에칭 화학과 이온 폭격의 조합을 사용하여 선택성 비율이 최대 1:1000 인 고충실 에치 프로파일을 만들고 광자, 석영, 실리콘 및 기타 물질에서 최대 2: 1의 종횡비를 생성합니다. LAM RESEARCH DRIE-100은 한 번의 배치 주기에서 최대 4 개의 200mm 프라임 웨이퍼 또는 2 개의 300mm 프라임 또는 서셉터 웨이퍼를 처리 할 수 있으며, 높은 처리량 에칭 및 애싱 프로세스를 가능하게합니다. 이 프로세스는 배치 단위 (batch-by-batch unit) 로, 각 배치가 진공 실에 배치되고 별도의 제어 시스템이 있으므로 압력, 가스 흐름, 온도 및 RF 전력을 정확하고 독립적으로 제어 할 수 있습니다. 이 기계는 플라즈마 챔버 (plasma chamber) 에서 입자 오염을 제거하기위한 자동 강제 가스 퍼지 기술을 특징으로합니다. 이 가스 제거 공정 (gas-purging process) 은 각 프로세싱 챔버를 다른 프로세싱 챔버와 분리하여 각 배치를 독립적으로 처리합니다. 최적의 에칭 및 애싱 성능을 위해, DRIE-100은 RF 생성기를 내장하고 코일에 전력을 공급하기위한 일치 회로를 갖춘 가변 온도 설계를 가지고 있습니다. 온도는 프로그래밍 가능한 온도 컨트롤러에 의해 제어되며, etch 프로세스를 최적화하기 위해 주기 전체에서 RF 전원 출력을 조정할 수 있습니다. 독립적 인 기계식 암 (mechanical arm) 은 카세트에서 가공 챔버로 웨이퍼를 옮기는 데 사용되며, 에칭 및 애싱 (ashing) 을위한 반복 가능한 전송 단계를 보장합니다. LAM RESEARCH/DRYTEK DRIE-100은 도구를 모니터링하고 안정적인 성능을 보장하는 일련의 고급 진단 및 안전 시스템을 갖추고 있습니다. 여기에는 열 이미징 카메라 (thermal imaging camera) 를 사용한 통합 뷰 에셋과 챔버 압력 (chamber pressure) 을 모니터링하여 최적의 에칭 조건을 보장하는 압력 경보 모델 (pressure alarm model) 이 포함됩니다. 또한, 장비에는 에칭 프로세스에 대한 피드백 정보를 제공하는 닫힌 루프 플라즈마 에치 모니터가 있습니다. 여기에는 에치 속도, 적용 전력 및 프로세스 결과에 대한 실시간 데이터가 포함됩니다. DRYTEK DRY-100 (DRIE-100) 은 안정적이고 반복 가능한 에칭 및 애싱 성능을 최고 정확도와 정밀도로 제공하도록 설계되었습니다. 이 시스템은 최첨단 진단, 안전 프로토콜 (Safety Protocol), 제어 시스템 (Control System) 을 갖추고 있어 최고의 효율성과 생산성으로 장치를 작동시킬 수 있습니다. 이 장치는 광범위한 나노 구조 조정 제작 프로세스에서 사용될 수 있으며, 정밀도가 높은 에칭 (etching) 과 프라임 웨이퍼 (prime wafer) 및 서셉터 웨이퍼 (susceptor wafer) 를 포함하는 제조에 뛰어난 선택을 제공합니다.
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